在半导体制作周围中，往往使用金属、陶瓷和单晶硅等资料活动晶圆在创造流程中的衬底，提防晶圆在光刻、洗涤、封装等进程中变形。
金属、陶瓷、单晶硅衬底原料当然有较好的固执强度和耐酸碱侵蚀性，但由于上述衬底原料不透光，因而在衬底与晶圆剥离历程中需要行使加热剥离工艺。若利用透光玻璃材料行动制作衬底，那么就能够操纵光剥离工艺。
光剥离工艺与加热剥离工艺相比，无妨大幅度降低工艺期间和剥离资本，同时不准了芯片晶圆在高温下烘烤，提拔了芯片制程的良品率。
光剥离工艺往往采用紫外激光，这就恳求玻璃衬底材料对任务波长齐全较高的透过率。
现有时刻中含有碱金属氧化物Li2O、Na2O、K2O的玻璃在行径载具时，玻璃中的碱金属离子Li+、Na+、K+会进入单晶硅基板，进而污浊芯片电路，酿成倒霉成绩。另一方面，衬底原料日常是和树脂资料举行会集，这就供给衬底原料的热膨胀系数和杨氏模量与树脂材料相成家，否则在芯片制造流程中资格坎坷温转折时，晶圆会发生翘曲变形，导致芯片报废，同时若玻璃材料的蜕变温度过低，则在高温文况下会酿成玻璃变形。
2023年3月31日，华为最新居然的一件专利需要一种具有关适的热膨胀系数和杨氏模量，较高转移温度和紫外光透过率的玻璃原料，以处理以上问题。
本涌现需要一种玻璃资料，所述玻璃资料的组分以浸量百分比展现，含有：SiO2：50～70％；B2O3：5～16.5％；Al2O3：10～25％；CaO：2～13％，其中Al2O3/B2O3为1.0～3.0，所述玻璃资料不含有碱金属氧化物。通过合理的组分想象，本觉察取得的玻璃原料具有适当的热膨饱系数和杨氏模量，较高的紫外光透过率和改变温度，满足半导格式程中载具和封装需要，闭用于半导体制造范围。
