荣获“家当链冲破奖” 汇芯通信首席科学家樊永辉：沃格光电玻璃基TGV工夫大有可为

　　集微网音尘 6月2日-3日，“2023第七届集微半导体峰会”在厦门国际集会中心旅馆隆浸召开。在6月2日举办的“首届集微半导体创立峰会暨家当链打破奖颁奖典礼”上，江西沃格光电股份有限公司（简称：沃格光电）依照超薄高细致TGV技术荣获财产链突破奖。

　　沃格光电TGV（玻璃基巨量通孔）本事协和了公司玻璃基薄化、镀铜（双面单层、双面多层）、巨量通孔等手法，该材干造成的产品化形状重要为用于Mini/Micro直显的封装基板以及半导体进步封装基板，搜求2.5D/3D封装，其在高功能希图（AI、超级电脑、数据中心）、感测（MEMS、生物感触器件）、射频器件等局限有遍及掌握前景和空间。

　　而在首届集微半导体创立峰会上，汇芯通信首席科学家樊永辉介绍沃格光电玻璃基TGV才略，其称，新一代新闻资产是未来十年经济进步的主要驱动力，随着搬动通信才略的连接进步，射频器件朝集成化倾向进取，势必会煽动玻璃基手段进步，而沃格光电行动国内玻璃基领先企业，将会迎来恢弘的墟市前景。

　　如今宇宙正在加入以新一代消息资产为主导的新经济前进时间，以人工智能、搬动通信、产业互联网、中枢电子器件、云策画、大数据等为代表的新一代讯息才略加速打垮把握，正在深度浸构全球资产模式、企业样式和价格链分工。

　　而我们国也出台了一系列远大战术步伐，加快消休产业发展。以搬动通信为例，2022年，5G汇集人口掩盖、基站陈设数量、5G连接数等方面快速进取，已经成为全球趋势。2020-2022年，华夏三年5G投资总额达5125亿元，修成环球界限最大、手段起初进的5G稀少组网聚集，已成为举世5G专利的严重产出洋和法度制订国实现了通信伎俩的引领。

　　樊永辉展示，“通信本事的进步和家当的前进对射频器件的条件越来越高，煽动了半导体质料和集成电路材干提高，以及雄壮的市集机缘。但是，这些产品依旧中国通信（和电子行业）财产链的软弱合键，也是大家努力的对象。”

　　“现在射频前端、功率扩展器（PA）墟市主要是被美日所专揽。所有人国射频前端器件企业在规模上仍生存较大的差距，但完结射频器件技术与市场的打破是国内企业的教唆与机会。”樊永辉弥补途。

　　从工艺身手及使用市场走势来看，射频功率扩展器方面，基站侧PA在2G/3G期间底子全部控制LDMOS工艺，4G时期起首掌管GaN工艺。LDMOS产品市集份额紧急被NXP、Ampleon、Wolfspeed等攻陷。高出70%的GaN PA市集被住友电工、Wolfspeed和Qorvo霸占。5G时代，基站侧PA将主要采取GaN工艺。手机侧，4G PA主要采取GaAs工艺，环球4G PA约90%市集份额要紧被Skyworks、Qorvo、Broadcom、高通和村田霸占。5G时期，手机侧PA仍将不断GaAs工艺。

　　而在射频滤波器方面，4G基站中，金属腔体滤波器是主流才华，而在5G基站中，金属腔体滤波器和陶瓷介质滤波器本事将共存，后者由于更高的Q值和更小的尺寸，将提升商场占据率。

　　樊永辉称，“随着通信才智和资产持续进取，新型半导体原料将朝高频率、高功率、低功耗、小型化等趋势发展，而射频功率放大器、滤波器也将朝“新资料+新结构+新工艺”目标前进。射频器件集成化将在后摩尔时间和来日通信中阐述越来越环节的感染，在集成电途资产链中的市场份额也越来越大。”

　　随着三维（3D）封装的平常，厚度是一个更受合切的因素。樊永辉指出，经验垂直堆叠半导体来前进职能，其环节是减小基板的厚度。而玻璃载板具有平整的外貌并且能够做得很薄，与ABF塑料比拟，它的厚度可能落选一半应用，减薄没闭系发展标识传输速度和功率出力。

　　5 月 19 日，英特尔公布了提高封装手腕蓝图，将古板基板转为更为进步的玻璃材质基板，其朝气始末玻璃载板校正3D封装结构，该工夫可减弱芯片与电途板之间的交锋隔绝（凸点间距）。奋斗间隔越短，封装尺寸越小，因而可以进步本能。

　　而沃格光电行动国内玻璃基进步企业，其玻璃加工已齐备成熟的、完整的工艺。与现有其全部人资料对比，玻璃基优势首要体而今高耐热性、低热膨胀系数、优越的导热系数、低翘曲度、高线途周详度、更低成本等，在大功率器件封装和高算力数据重点服务器等领域具有肯定的摆布空间，该范畴是公司产品的紧要运用方向。随着异日家当链的进一步成熟，其排泄率亦将逐渐提升。

　　值得一提的是，为了深远贯彻落实全班人国“缔造强国”计谋，深圳市政府与多所高校收买多家5G产业链上下流龙头企业和上市公司协同建立国家5G中高频器件更始中央，埋头于5G通信中高频器件边界前沿方法和共性症结才干的研发供给、改观扩散和初度营业化掌握的新型制造业改进载体。

　　该改进主题搭建从材料/器件-安排-试验-封装-中试的一体化公共效劳平台，提供进取的打算、工艺和封装手腕。并与财产链上下流企业相助，结合优势资源，在挪动通信射频器件合键技艺和产品边界，说合促使工夫发展与突破。

　　材料揭示：樊永辉，毕业于加州大学伯克利分校（U. C. Berkeley），获工学博士学位。 曾在麻省理工学院（M.I.T.）从事议论事件。在美国通信半导体与MEMS行业，搜求六关500强企业，有突出20年的事件始末，先后从事本领研发、墟市支配、产品斥地与才华处置等事情。近年返国事务，曾任厦门三安环宇集成电路有限公司能力副总，现任厦门大学国家树模微电子学院客座教养、国家5G中高频器件缔造改进主旨暨深圳市汇芯通信才略有限公司大家委员会委员和首席科学家。